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1，DFB激光器的工艺结构
制造工艺 DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的最复杂程度，下表是DFB激光器的主要生产工艺流程（从材料生长到封装的整个过程）： Process（工艺流程） Back End（后续处理） GaSb-processing（锑化镓材料生长） cleaving（切割） coating / lift-off（镀膜/剥离） facet coating（端面镀膜） optical lithography（光学光刻） characterization（参数塑造） e-beam（电子束成象） mounting (TO-header)（安装） vapor coating（气相涂盖） fiber coupling（光纤耦合） etching（蚀刻） burn-In（预烧） electroplating（电解沉积） ...... quality control（质量控制） …… DFB芯片结构设计 DFB芯片大小：如下图，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。其注入电流方向和激光发射示意图如下：
2，DFB激光器，什么是DFB激光器
百度百科的定义：
DFB( Distributed Feedback Laser)，即分布式反馈激光器，其不同之处是内置了布拉格光栅（Bragg Grating），属于侧面发射的半导体激光器。目前，DFB激光器主要以半导体材料为介质，包括锑化镓(GaSb）、砷化镓（GaAs）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性（即光谱纯度），它的线宽普遍可以做到1MHz以内，以及具有非常高的边模抑制比（SMSR），目前可高达40-50dB以上。